송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용 예정 파워큐브세미는 국내 최초로 2300V SiC MOSFET 개발에 성공했다고 26일 밝혔다. SiC(탄화규소)는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체 대비 견딜 수 있는 전압이 높아 미래 전력반도체를 주도할 차세대 소자로 불리고 있다. 전기자동차의 보급, AI로 인한 데이터 센터의 확대 등 첨단기술의 도입에 반드시 필요한 핵심 부품이다. 파워큐브세미는 국내 SiC(탄화규소), Si(실리콘), Ga2O3(산화갈륨) 전력반도체를 설계하는 팹리스 기업으로 글로벌 유일하게 3개 소자를 다룬다. 최근엔 중국 글로벌 전기자동차 기업에 대용량 SJ MOSFET을 적용 및 판매하며 직접 설계한 반도체의 성능과 기술력도 인정받았다. 특히 이번 2300V SiC MOSFET은 국내 최초의 개발 사례다. 파워큐브세미 경신수 CTO는 “기존의 1700V SiC MOSFET 개발 및 양산 경험이 2300V까지 이어질 수 있었다”고 밝혔다. 2300V SiC MOSFET은 송배전과 같이 고내압, 저전력이 필요한 어플리케이션에 적용될 예정이다. 해당 제품은 한국전력의 송배전용 인버터에 공급을 협의하고 있다. 2023년 12월
전기차·데이터센터 수요에 급성장…트렌드포스 10대 기술 트렌드 전망 내년 반도체 업계에서는 탄화규소(SiC·실리콘 카바이드)와 질화갈륨(GaN) 등 이른바 3세대 반도체 기술이 본격적으로 성장할 것이라는 전망이 나왔다. 16일 업계에 따르면 대만 시장정보업체 트렌드포스는 2023년 10대 기술 산업 트렌드 중 하나로 3세대 반도체의 부상을 꼽았다. 기존 전력 반도체는 주로 실리콘(Si) 소재로 만들어졌는데, 최근에는 전력 효율과 내구성을 극대화한 SiC와 GaN 등 신소재를 기반으로 한 차세대 전력 반도체가 주목받고 있다. 앞으로 전자기기 수요 확대와 전력 소비 증가가 예상되면서 차세대 전력 반도체는 미래 성장 가능성이 높은 분야로 꼽힌다. 2026년까지 5년간 SiC와 GaN을 활용한 전력 기기 시장의 연평균 성장률이 각각 35%, 61%에 이를 것으로 트렌드포스는 전망했다. 트렌드포스는 "800V 전기차, 고전압 충전, 고효율 그린 데이터센터 등의 급부상으로 SiC와 GaN 부품은 가파른 성장 단계에 접어들었다"며 "2023년을 앞두고 더 많은 자동차 업체가 메인 인버터에 SiC 기술을 도입할 것"이라고 예상했다. 아울러 "GaN은 고출력 에너지 저장장치
나노융합기술원이 산업통상자원부 지원의 ‘와이드밴드갭(Wide Band Gap, WBG) 소재 기반 차량용 전력반도체 제조공정 기반 구축’ 사업에 최종 선정됐다. 나노융합기술원은 주관기관으로서 2022년부터 2024년까지 3년간 총 137억5,000만 원을 투자해 와이드밴드갭 소재 기반의 차세대 차량용 전력반도체 상용화 기반 구축을 통해 기업을 지원할 계획이다. 와이드밴드갭 반도체는 실리콘보다 큰 밴드갭(전자가 존재하지 않는 공간)을 갖는 반도체 소재인 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN), 산화갈륨(Ga2O3)으로 생산한 차세대 반도체다. 기존 실리콘 소재 기반 반도체보다 초고속·고효율·고온으로 극한 환경에서 뛰어나다는 특성이 있다. 이번 사업에 선정된 나노융합기술원은 설립 초기부터 10년 이상 전력반도체 분야에 특화해 핵심 시설과 첨단장비, 전담인력을 갖추고, 기술개발, 공정서비스, 전문인력양성을 지원하며 역량을 축적해왔다. 독일 프라운호퍼 IISB 연구소와도 국제 공동연구를 통해 전력반도체 핵심기술개발과 기술사업화지원 등을 꾸준히 추진하고 있다. 2019년에는 과학기술정보통신부로부터 전력반도체 분야의 우수한 제조공정 장비와 기술력 등을 인정받아 소재, 부
차세대 전력반도체를 대량 생산하는 원천기술이 한국원자력연구원 연구진에 의해 개발됐다. 지난 10일 원자력연구원에 따르면, 전력을 제어하는 반도체인 전력반도체는 전기차·신재생 에너지 설비의 핵심 부품으로, 주로 실리콘(Si) 소재로 만들어진다. 최근에는 전력 효율·내구성을 극대화한 탄화규소(SiC)·질화갈륨(GaN)·산화갈륨(Ga2O3) 등 3대 핵심소재를 기반으로 한 차세대 전력반도체 시장이 부상하고 있다. 단단하고 고온에 강한 탄화규소는 전력변환 시 손실이 적고, 높은 전력에 대한 제어능력이 실리콘보다 600배 우수한 것으로 알려졌다. 해외에서는 탄화규소 소재 웨이퍼를 작게 자른 '소형 반도체 칩' 단위에서 실험하는 수준인데, 원자력연 하나로이용부 박병건 박사팀이 이번에 현재 사용되는 탄화규소 웨이퍼 그대로 여러 장을 한꺼번에 도핑하는 데 성공했다. 연구진이 세계 최초로 개발한 '탄화규소 반도체 웨이퍼 대량 도핑 기술'의 주요 토대는 국내 유일 연구용 원자로인 '하나로'를 이용한 '중성자 핵변환 도핑'(NTD) 기술이다. 도핑은 결정의 물성을 변화시키기 위해 소량의 불순물을 첨가하는 공정으로, 주로 반도체를 제조할 때 전기적 특성을 높이려고 사용된다. 부도
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